三菱機電于6月27至29日在上海世博展覽館舉辦的PCIMAsia 2017(上海國際電力元件、可再生動力治理博覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢退場，個中第7代IGBT模塊更初次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱機電展位號：E06)。

三菱機電以“立異功率器件構建可連續將來”為主題，本年展出的功率器件運用規模逾越五年夜范疇，包含：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業運用和新動力發電，努力為客戶供給高機能及低消耗的產物。

變頻家電市場                                                                                                         

在變頻家電運用方面，三菱機電展出三款碳化硅功率器件，分離是第一次表態的全碳化硅DIPIPMTM和碳化硅SBD，別的還有混雜/全碳化硅DIPPFCTM。

全碳化硅DIPIPMTM特殊合適變頻家電，它采取碳化硅MOSFET消耗更低，效力更高；其碳化硅MOSFET本身體二極管作為FWDi，下降反向恢來電流和噪聲。它與超小型的DIPIPMTM封裝雷同，可以使用雷同的電路板，額外電流籠罩15A、25A/600V，集成短路掩護和欠壓掩護，同時有溫度模仿量輸入。

全碳化硅DIPIPMTM

至于碳化硅SBD則可以運用在PFC及光伏發電上。它的消耗比硅器件削減20%，更高I2t，反抗浪涌電流有更強的才能；更強的高頻開關特征，可使周邊器件小型化(電抗器)，額外電流籠罩20A/600V。

碳化硅SBD

針對家用空調設計的混雜/全碳化硅DIPPFCTM，它應用碳化硅SBD有優越的反向恢復特征，輻射噪聲小；采取碳化硅 MOSFET消耗更低，效力更高(全碳化硅DIPPFCTM)。它與超小型DIPIPMTM封裝雷同，額外電流籠罩20Arms/276Vrms，集成短路掩護和欠壓掩護，有毛病旌旗燈號輸入。

混雜/全碳化硅DIPPFCTM

三菱機電也持續展出以SLIMDIP模塊為基本的SLIMDIP-L和SLIMDIP-S兩款產物，SLIMDIP-L用于變頻洗衣機和變頻空調，而SLIMDIP-S用于變頻冰箱和變頻風機掌握。

兩款SLIMDIP均采取RC-IGBT芯片，完成更高的集成度；封裝面積比超小型DIPIPMTM減少達30%；內置自舉二極管和限流電阻；最年夜運轉殼溫晉升至115℃；并集成短路掩護和欠壓掩護，同時供給溫度模仿量輸入；優化引腳結構，簡化電路板布線設計。

SLIMDIP模塊

另外，整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+，也實用于變頻家電、通用變頻器、伺服驅動器和商用空調緊縮機驅動。它完全地集成整流橋、逆變橋、制動單位和響應的驅動掩護電路， 采取第7代CSTBTTM硅片；內置短路掩護、欠壓掩護功效和溫度模仿量輸入功效；另內置自舉二極管(BSD)及自舉限流電阻； 供給額外電流籠罩50A/600V和5~35A/1200V。采取該款模塊設計通用變頻器，可以最年夜水平地簡化電路板布線設計，減少基板面積，是小功率變頻器低本錢化的最好處理計劃。

整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+

三菱機電的變頻家電用碳化硅功率器件曾經非常成熟，本年展出三款產物，供給低消耗、高效力及小體積的模塊。三菱機電將持續秉承可連續成長信心，賡續研發高機能及高靠得住性的前沿功率器件，來知足電力電子市場的分歧運用。

鐵道牽引及電力傳輸市場

在PCIM 亞洲展2017上，三菱機電為鐵道牽引和電力傳輸，帶來三款功率模塊，分離為新推出的3.3kV及6.5kV HVIPM、X系列的單管及雙管HVIGBT模塊，合適牽引變流器及直流輸電運用。

初次表態展會的3.3kV及6.5kV HVIPM，可運用于鐵道牽引、電力傳輸和高靠得住性變流器等。它集成門極驅動和掩護電路，完成短路掩護(片上)，過溫掩護(片上)及欠壓掩護；低飽和壓下降消耗，高靠得住性。三菱機電以最嚴厲的質量掌握，靜態和靜態機能測試，100%供給檢測申報，額外電流籠罩1500A/3.3kV及750A/6.5kV。

3.3kV及6.5kV HVIPM

至于X系列雙管HVIGBT模塊，采取CSTBTTM構造的第7代IGBT和RFC二極管，下降功率消耗；應用可下降外部電感的封裝技巧，優化產物機能；應用兩種封裝(LV100/HV100)，完成兩種絕緣耐壓(6kV/10kV)，但二者具有雷同的外形尺寸。LV100封裝包含900A/1.7kV和450A/3.3kV；HV100封裝包含450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV；可進步體系構造設計的靈巧性，便利完成逆變器擴容。

LV100封裝(6kV絕緣耐壓)             HV100封裝(10kV絕緣耐壓)

X系列單管HVIGBT模塊，采取第7代IGBT和RFC 二極管硅片技巧，完成更低飽和壓降和開關消耗；應用LNFLR技巧完成低熱阻； 許可最高運轉結溫150℃；平安任務區(SOA)裕度年夜，續流恢復才能強； 封裝兼容傳統的H系列和R系列HVIGBT；尺度產物包含1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV；另外，還有業界規格最年夜，針對電力傳輸運用而開辟的6500V/1000A單管HVIGBT。

X系列單管HVIGBT模塊

工業市場

針對工業運用市場，第7代IGBT模塊初次作全電壓、全封裝及全系列展出，別的還有第7代智能功率模塊(IPM)。

第7代IGBT模塊，可以運用在通用變頻器、伺服驅動器、不連續電源及新動力發電。它采取了第7代IGBT硅片和RFC二極管硅片，下降消耗；具有650V、1200V和1700V三種電壓品級；涵蓋模塊電流35A至1000A；兼容現有市場主流產物封裝；進步產物熱輪回壽命和功率輪回壽命；采取預涂熱界面資料(PC-TIM)，與傳統硅脂比擬，模塊與散熱器的接觸熱阻下降50%；NX封裝具有焊接方法和壓接方法兩種掌握端子可供選擇。

第7代IGBT模塊                 預涂熱界面資料                  壓接端子

第7代智能功率模塊(IPM)，針對高端變頻器、伺服機電驅動器的運用而設計。它采取了第7代 IGBT和FWDi芯片，完成更低消耗；應用更合適伺服驅動器的窄長形封裝；掌握端子與現行L1 系列兼容，實用異樣的接口電路；針對分歧的掩護舉措，輸入分歧的毛病辨認旌旗燈號；額外電流籠罩25A~200A/1200V及50A~450A/650V。

第7代智能功率模塊(IPM)

新動力發電市場

針對年夜功率光伏逆變器及年夜功率不連續電源，三菱機電推出年夜功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。它可以依據分歧須要組建I型或許T型3電平拓撲；具有低雜散電感(1單位模塊8nH，兩單位模塊12nH)；高絕緣耐壓達4000Vrms/1分鐘；最年夜結溫可達175℃；最年夜電流品級到達1400A/1200V和1000A/1700V。

年夜功率三電平逆變器用單管IGBT模塊

電動汽車市場

J1系列汽車用IGBT模塊是專為電動汽車驅動器，及高靠得住性EV/HEV逆變器設計，采取低消耗CSTBTTM硅片技巧，及基于硅片的溫度和電流檢測技巧。其六合一汽車用IGBT模塊，緊湊封拆卸合Pin-fin底板直接冷卻；高靠得住性的DLB(直接主端子綁定)技巧，相符RoHS尺度。

J1系列供給A、B兩種封裝。A型封裝有300A/650V、600A/650V和700A/650V；B型封裝有1000A/650V和600A/1200V，這兩種封裝可以知足從小型電動汽車到年夜型電動公交車的運用請求。

針對J1系列新型汽車模塊，三菱機電將供給包含驅動電路、冷卻水套及薄膜電容的全體處理計劃技巧支撐，以便利客戶疾速運用該模塊完成汽車用逆變器的設計。

J1系列A封裝

J1系列B封裝

三菱機電電機（上海）無限公司簡介

三菱機電創建于1921年，是全球著名的綜合性企業團體。在2017年的《財富》500強排名中，名列第276。

作為一家技巧主導型的企業，三菱機電具有多項搶先技巧，并憑壯大的技巧實力和優越的企業信用在全球的電力裝備、通訊裝備、工業主動化、電子元器件、家電等市場占領側重要的位置。

三菱機電電機（上海）無限公司把宏揚國人聰明，首創電機新紀元視為義不容辭的責任與任務。憑仗優勝的技巧與發明力進獻家當的成長以增進社會繁華。

三菱機電半導體產物包含三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產物，個中三菱功率模塊在機電掌握、電源和白色家電的運用中有助于您完成變頻、節能和環保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產物將為您在各類模仿/數字通信、有線/無線通信等運用中供給處理計劃。