存儲器跌價從2016年下半年開端，依據ICInsights的估計，2017年內存（DRAM）價錢漲幅將到達39%，閃存（Flash）漲幅也無望到達25%。這是因為需求增加和供應壓縮。一方面，國產物牌手機出貨量連續增加，和新一代iPhone產物推出，存儲器產能正被年夜量消費；另外一方面，以三星、海力士為代表的企業正投入一場存儲器立異比賽，將二維閃存（2DNANDFlash）轉移至三維閃存（3DNANDFlash）的技巧反動，這招致產能增加放緩。

這是一個得存儲器者得世界的時期。存儲器被廣泛稱為“半導體家當的皇冠”?，F在正成為手機、電腦等產物硬件設置裝備擺設進級的主要賣點。在全球存儲器市場的寡頭競爭中，跟著存儲器價錢爬升，三星成為最年夜贏家，一路高歌大進，而由此巨虧的東芝（Toshi-ba）半導體卻墮入為難地步。同時，跌價腐蝕著本來競爭劇烈、利潤菲薄的智妙手機家當，一路打價錢戰的智妙手機企業橫迎來史上初次跌價潮。

在如許的格式中，國產存儲器正在南京、武漢、晉江三地建構著鼎足之勢之勢。國度曾經下定決計成長存儲器家當，經由過程自立研發癥結技巧與引入半導體巨子，在全球存儲器家當的癥結時辰，可否完成“彎道超車”？

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