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      汞燈VS紫外LED 對比到底哪個好

      日期:2025-07-11 18:40
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      摘要:汞燈VS紫外LED 對比到底哪個好 紫外輻射是指波長小于紫光波長的一定范圍的電磁輻射,波長范圍100~380 nm,可劃分為長波紫外(UVA,315~380 nm)、中波紫外(UVB,280~315 nm)、短波紫外(UVC,200~280 nm)、真空紫外(VUV,100~200 nm)4個波段,相應的紫外光源分別稱之為長波、中波、短波和真空紫外光源。 長波紫外光源主要有中壓汞燈、短弧超高壓汞燈、氙燈、紫外金鹵燈、紫外LED等,它們主要應用于紫外光固化、光化學合成、印刷電路板曝光和熒光探傷等方面。中波紫外光源主要指紫外線熒光燈,它具有紅斑效應和保健作用,一...
      汞燈VS紫外LED 對比到底哪個好
      紫外輻射是指波長小于紫光波長的一定范圍的電磁輻射,波長范圍100~380 nm,可劃分為長波紫外(UVA,315~380 nm)、中波紫外(UVB,280~315 nm)、短波紫外(UVC,200~280 nm)、真空紫外(VUV,100~200 nm)4個波段,相應的紫外光源分別稱之為長波、中波、短波和真空紫外光源。
      長波紫外光源主要有中壓汞燈、短弧超高壓汞燈、氙燈、紫外金鹵燈、紫外LED等,它們主要應用于紫外光固化、光化學合成、印刷電路板曝光和熒光探傷等方面。中波紫外光源主要指紫外線熒光燈,它具有紅斑效應和保健作用,一般適用于醫療保健。而短波紫外光源包括熱陰極和冷陰極低壓汞燈,主要用于****、熒光分析及光化學等方面。
       
      熱陰極低壓汞燈是目前生產和應用量*大的紫外光源,在空氣、飲用水和廢水**方面得到廣泛使用。真空紫外光源主要有氘燈和氙準分子燈等,應用于光電子能譜儀的激發、臭氧發生、真空紫外波長標準和光清洗。
       
       
      以下介紹低壓汞燈、中壓汞燈和微波無極紫外燈的特性和優缺點,并與紫外LED對比后預測了其發展前景。
      低壓汞燈
      低壓汞燈即低氣壓汞蒸氣放電燈,是由汞蒸氣受高能電子碰撞電子激發而發出以254 nm和185 nm為主的的紫外共振輻射。它的輻射原理是:對不同管徑的燈,在*佳汞蒸氣壓下(外徑38 mm的T12燈為0.8 Pa,外徑7 mm的T2燈為1.6 Pa),汞蒸氣在電場中放電,汞原子的*外層電子從基態被激發到激發態,當其由激發態返回到基態時輻射出254,185 nm紫外光子。
       
      低壓汞燈的光譜分布近似為線光譜。石英玻殼對254 nm透射率可高達90%以上,而普通玻璃不透射254 nm紫外光。隨電流密度的不同,低壓汞燈的254 nm紫外輻射效率可達35%~60%,185 nm輻射效率可達5%~15%,是目前輻射效率*高的氣體放電光源。
       

      185 nm真空紫外輻射在空氣中的傳輸距離很短,在毫米量級的距離內即被氧分子吸收,氧分子分解成氧原子并進一步反應生成臭氧。所以185 nm輻射是很好的臭氧激發源,其優點是既能高效產生臭氧,又不會生成氮氧化合物等其他有害氣體。另外,185 nm光子的高能量,能夠打開大部分有機物的化學鍵,可以應用在半導體和平板顯示器生產線的光清洗工藝中,作為氙準分子燈的低成本替代方案。低壓汞燈的典型發射光譜如1所示。

      目前,**用低壓汞燈要求不產生臭氧,石英管中通常都摻入少量TiO2,以吸收185 nm的紫外輻射,只輻射254 nm的紫外輻射,俗稱無臭氧紫外輻射源。
      低壓汞燈的紫外輻射效率很高,當放電條件為飽和汞蒸氣壓0.9 Pa、放電管直徑26 mm(T8)、冷端溫度42℃時,紫外輻射達到*大。在該條件下,如果采用氬氣作為緩沖氣體,放電電流電流密度控制在0.03~0.13 A/cm2,那么254 nm處的輻射效率高達60%。不過,這種*佳的放電條件只能維持比較低的輸入功率密度(<0.5 W/cm),對應的254 nm輻射功率密度僅為0.2~0.3 W/cm。如果采用鉍銦汞合金代替純汞,再輔以合適的放電管徑,放電的功率密度可以提高到2 W/cm。
      *近幾年我們利用恒溫箱和自行設計的體積2.5 m3的大型真空室作為點燈環境,測量了T6大功率低壓汞燈正柱的254,185 nm輻射效率隨燈的稀有氣體氣體種類、氣壓、冷端溫度和放電電流的變化,獲得了*佳放電條件。2和3為254,185 nm譜線的輻射效率隨冷端溫度的變化。
       
      結果表明,T6大功率低壓汞燈正柱的254 nm輻射功率的*大值對應冷端溫度40~45℃,對應汞蒸氣壓0.86~1.24 Pa。在1.6 A電流下,*大輻射功率可達60~80 W/m。不同緩沖氣體的正柱區254 nm輻射效率隨冷端溫度變化規律基本一致。T6低壓汞燈輻射效率*大值對應冷端溫度在45~48℃,對應汞蒸氣壓1.24~1.54 Pa。對填充Ne-Ar混合氣體的燈,在氣壓2 Torr、電流1.6 A、冷端溫度45℃時,正柱輸入功率>160 W/m,254 nm輻射效率>40%。
      冷端溫度在70~75℃時185 nm輻射效率*高,且*佳冷端溫度隨著緩沖氣體中的Ne含量上升而上升。充純Ne的燈在氣壓2 Torr、冷端溫度75℃、電流1.6 A時,燈的輸入功率為117.7 W/m,185 nm的輻射效率可達10.2%,而254 nm的輻射效率為22.4%。
       
      對UVC-LED外延芯片的研發是國內外的熱點。日本信息通信研究機構(NICT)采用出光面包含光子晶體的氮化鋁(AlN)基板,開發出波長265 nm的UVC-LED,實現了輸出功率密度90 mW/cm2的連續發光,在電流為200 mA時外量子效率為6.3%。
      鑒于UVC-LED輻射效率還不高,如要達到實用化的20%的輻射效率,還有待實現技術突破;加上UVC-LED價格昂貴,目前只能用于小面積的**。因此,低壓汞燈仍有廣闊的應用前景,未來5~10年市場規模將繼續擴大。

      京公網安備 11030102010384號

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